Шляхи підвищення швидкодії GaAs–полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ–схем
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.413-419Ключові слова:
селективно легований гетеротранзистор, польовий транзистор Шотткі, епітаксіяАнотація
Немає сумніву, що використання технологій польових транзисторів із зотвором Шотткі на GaAs для формування швидкодіючих ВІС має велику перспективу. Не менші перспективи відкриваються перед унікальною за своїми властивостями СЛГТ – технологією для проектування сучасних ВІС/НВІС.
У випадку застосування СЛГТ можна задовільнити 3 головні технологічні критерії: швидкодію, низьку споживану потужність і техноло–гічність процесу виготовлення складних структур ВІС.
Посилання
[1] S. P. Novosjadlij, Sub-іnanomіkronna tehnologіja struktur VІS. Monografіja (Mіsto NV, Іvano-Frankіvs'k, 2010).
[2] S. P. Novosjadlij, Mathlab v radіofіzicі і elektronіcі. Navchal'nij posіbnik z grifom MON Ukraine (Sіmik, Іvano-Frankіvs'k, 2013).
[3] S. P. Novosjadlij, R. B. Atamanjuk, Fіzika і hіmіja tverdogo tіla 10(1), 205(2009).
[4] S. P. Novosjadlyj, V. M. Vivcharuk, Tehnologija i konstruirovanie v jelektronnoj apparature 3(81), 35 (2009).
[5] S. P. Novosjadlij, V. M. Vіvcharuk, S. M. Vertepnij, Vostochno-Evropejskij zhurnal peredovih tehnologij 1/7(37), 26(2009).
[6] S. P. Novosjadlij, V. M. Vіvcharuk, V. P. Peregіns'kij, Fіzika і hіmіja tverdogo tіla 10(4), 957 (2009).
[7] S. P. Novosjadlij, S. M. Marchuk, T. R. Sorohtej, Ju. V. Voznjak, Fіzika і hіmіja tverdogo tіla 13(2), 416(2012).
[8] S. P. Novosjadlij, T. P. Kіndrat, T. R. Sorohtej, Ju. V. Voznjak, Fіzika і hіmіja tverdogo tіla 13(3), 618 (2012).
[9] S. P. Novosjadlij, L. V. Mel'nik, T. P. Kіndrat, V. M. Varvaruk, Shіdno-Jevropejs'kij zhurnal novіtnіh tehnologіj 4/5(64), 1(2013).
[2] S. P. Novosjadlij, Mathlab v radіofіzicі і elektronіcі. Navchal'nij posіbnik z grifom MON Ukraine (Sіmik, Іvano-Frankіvs'k, 2013).
[3] S. P. Novosjadlij, R. B. Atamanjuk, Fіzika і hіmіja tverdogo tіla 10(1), 205(2009).
[4] S. P. Novosjadlyj, V. M. Vivcharuk, Tehnologija i konstruirovanie v jelektronnoj apparature 3(81), 35 (2009).
[5] S. P. Novosjadlij, V. M. Vіvcharuk, S. M. Vertepnij, Vostochno-Evropejskij zhurnal peredovih tehnologij 1/7(37), 26(2009).
[6] S. P. Novosjadlij, V. M. Vіvcharuk, V. P. Peregіns'kij, Fіzika і hіmіja tverdogo tіla 10(4), 957 (2009).
[7] S. P. Novosjadlij, S. M. Marchuk, T. R. Sorohtej, Ju. V. Voznjak, Fіzika і hіmіja tverdogo tіla 13(2), 416(2012).
[8] S. P. Novosjadlij, T. P. Kіndrat, T. R. Sorohtej, Ju. V. Voznjak, Fіzika і hіmіja tverdogo tіla 13(3), 618 (2012).
[9] S. P. Novosjadlij, L. V. Mel'nik, T. P. Kіndrat, V. M. Varvaruk, Shіdno-Jevropejs'kij zhurnal novіtnіh tehnologіj 4/5(64), 1(2013).
##submission.downloads##
Опубліковано
2015-06-15
Як цитувати
Новосядлий, С., & Луцький, І. (2015). Шляхи підвищення швидкодії GaAs–полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ–схем. Фізика і хімія твердого тіла, 16(2), 413–419. https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.413-419
Номер
Розділ
Наукові статті
