Новосядлий С, Луцький І. Шляхи підвищення швидкодії GaAs–полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ–схем. Phys. Chem. Sol. State [інтернет]. 15, Червень 2015 [цит. за 19, Травень 2024];16(2):413-9. доступний у: https://scijournals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/1695