НОВОСЯДЛИЙ, С.П.; ЛУЦЬКИЙ, І.М. Шляхи підвищення швидкодії GaAs–полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ–схем. Фізика і хімія твердого тіла, [S. l.], v. 16, n. 2, p. 413–419, 2015. DOI: 10.15330/pcss.16.2.413-419. Disponível em: https://scijournals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/1695. Acesso em: 19 трав. 2024.