Новосядлий, С., & Луцький, І. (2015). Шляхи підвищення швидкодії GaAs–полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ–схем. Фізика і хімія твердого тіла, 16(2), 413–419. https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.413-419