Luminescence Centers in Thin Films of ZnGa2O4

О. М. Бордун; І. Й. Кухарський; Б. О. Бордун

doi:10.15330/pcss.16.1.74-78

Автор(и)

О. М. Бордун Львівський національний університет імені Івана Франка
І. Й. Кухарський Львівський національний університет імені Івана Франка
Б. О. Бордун Львівський національний університет імені Івана Франка

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.16.1.74-78

Ключові слова:

галат цинку, тонкі плівки, люмінесценція, спектр, енергетичні рівні

Анотація

Досліджено спектри фотозбудження і люмінесценції тонких плівок ZnGa₂O₄ при фото-, катодному і рентгенівському збудженні. Методом Аленцева-Фока проведено розклад спектрів люмінесценції на елементарні складові. Смуги випромінювання в області 3,35, 2,85, 2,50 і 2,38 еВ проінтерпретовано як свічення зумовлене електронними переходами між термами ⁴Т₂, ⁴Т₁, ²Е і ⁴А₂ в октаедричних комплексах (GaO₆)^9–. Запропоновано діаграму енергетичних рівнів із відповідними електронними переходами в такій структурі. Смуга люмінесценції з максимумом біля 1,75 еВ пов’язується із свіченням кисневих вакансій.

Посилання

I. Ahmad Md., M. Kottaisamy, N. Rama, M.S. Ramachandra Rao, S.S. Bhattacharya, Scripta Mater. 54(2), 237 (2006).

J. S. Kim, H. L. Park, C. M. Chon, H. S. Moon, T. W. Kim. Solid State Commun. 129(3), 163 (2004).

M.Yu, J.Lin, Y.H.Zhou, S.B.Wang, Materials Letters 56(6), 1007 (2002).

S. M. Chung, S. H. Han, Y. J. Kim, Materials Letters 59(7), 786 (2005).

S.-H. Yang, J. Electr. Mater. 33(1), L1 (2004).

L.Zou, X.Xiang, M.Wei, F.Li, David G.Evans, Inorg. Chem. 47(4) 1361 (2008).

W. Zhang, J. Zhang, Y. Li, AZ. Chen, T. Wang, Appl Surf. Sci. 256(14) 4702 (2010).

P. Dhak, U. K. Gayen, S. Mishra, P. Pramanik, A. Roy, J. Appl. Phys. 106(6) 063721 (2009).

M. Takesada, M. Osada, T. Isobe, J. Phys. Chem. Solids 70(2) 281 (2009).

O. M. Bordun, V. G. Bigdaj, I. I. Kuharskij, Zhurn. prikl. spektr. 80(5) 733 (2013).

X.L. Duan, D.R. Yuan, L.H. Wang, F.P. Yu, X.F. Cheng, Z.Q. Liu, S.S. Yan, J. Cryst. Growth 296(2), 234 (2006).

M.V. Fok, Tr. FIAN 59, 3 (1972).

A.M. Rzhevskij, N.I. Makarevich, P.P. Mardilovich, Kompleks programm dlja matematicheskoj obrabotki opticheskih spektrov na mikro JeVM “Jelektronika D3-28”, preprint In-ta fiziki AN BSSR; № 513 1 (1988).

P. M. Aneesh, K. Mini Krishna, M. K. Jayaraj, J. Electrochem. Soc. 156(3), K33 (2009).

Sh. Itoh, H. Toki, Yo. Sato, K. Morimoto, T. Kishino, J. Electrochem. Soc. 138(5), 1509 (1991).

M. Cao, I. Djerdj, M. Antonietti, M. Niederberger, Chem. Mater. 19(24), 5830 (2007).

K.-W. Park, Y.-H. Yun, S.-Ch Choi, J. Electroceram. 17(2–4), 263 (2006).

S.S. Yi, I.W. Kim, J.S. Bae, B.K. Moon, S.B. Kim, J.H. Jeong, Materials Letters 57(4), 904 (2002).

S.-H. Yang, T.-J. Hsueh, Sh.-J. Chang, J. Electrochem. Soc. 152(11), H191 (2005).

J. S. Kim, H. I. Kang, W. N. Kim, J. I. Kim, J. C. Choi, H. L. Park, G.C. Kim, T.W. Kim, Y.H. Hwang, S.I. Mho, M.-C. Jung, M. Han, Appl. Phys. Lett. 82(13), 2029 (2003).